ترانسفورماتورهای قدرت فرکانس بالا در مبدل های الکترونیک قدرت وجود دارند برای بسیاری از کاربرد ها مانند انتقال انرژی، سیستم های انرژی تجدید پذیر و منابع تغذیه وجود دارد. فن آوری های تولید مواد مغناطیسی مانند فریت، آمورف و نانو کریستال با فرکانس بالا برای کوچک سازی ترانسفورماتور ها و طراحی بهینه به کار گرفته می شود. در این مقاله، طراحی ترانسفورماتور فرکانس بالا مبتنی بر روش اجزای محدود (FEM ) پیشنهاد شده است، و یک ترانسفورماتور فرکانس بالای 5 کیلو ولت و توان 100 وات با هسته فریت برای کاربرد در شارژ کننده ولتاژ بالا در فناوری توان پالسی طراحی شده است. پس از مرحله محاسبات، مدل سه بعدی ترانسفورماتور با هسته غیر خطی با نرم افزار تحلیل اجزای محدود ماکسول ایجاد می شود و سپس شبیه سازی های مدل الکترومغناطیسی ترانسفورماتور با مدار مبدل الکترونیک قدرت با کمک نرم افزار Simplorer برای شرایط عملیاتی پیاده سازی می شود. همچنین بازده ترانسفورماتور، مدار معادل دقیق ترانسفورماتور و توزیع شار در هسته ترانسفورماتور بدست آمده است. علاوه بر این، نمونه ترانسفورماتور ساخته و آزمایش شده است. داده های به دست آمده از روش المان محدود با روش تحلیلی و آزمایشگاهی مقایسه شده است. نتایج نشان می دهد که روش المان محدود در مقایسه با روش های تحلیلی دقیق تر به نظر می رسد. با توجه به اهمیت و پیچیدگی طراحی ترانسفورماتور های فرکانس بالا، استفاده از این روش می تواند مزایا و سادگی را برای طراحان ترانسفورماتور برای محاسبات پارامتر ها و طراحی بهینه فراهم کند.

در این مقاله یک مدل ریاضی برای مبدل رزونانسی مرتبه چهار LCLC با فیلتر خازنی در حالت ماندگار اریه می شود. به دلیل غیرخطی بودن فیلتر خروجی این مبدل، روشهای معمول مدل سازی مبدل های روزنانسی نمی توانند رفتار این مبدل را مدل سازی کنند. در این مقاله یک مدل ریاضی ارایه می شود که می تواند عدم وجود سلف در فیلتر خروجی را اصلاح کند و عملکرد مبدل را برای یک گستره وسیع از تغییرات بار پیش بینی نماید. یک مبدل نمونه با توان  2.25 kWجهت ارزیابی دقت مدل پیشنهادی فراهم شده است. نتایج عملی نشان می دهد که مدل پیشنهادی می تواند رفتار مبدل ذکر شده را برای گستره وسیع بار پیش بینی نماید.

در این مقاله یک ترانسدیوسر پیچشی مگنتواستریکتیو جدید معرفی می شود. این ترانسدیوسر از یک کله گی مگنتواستریکتیو، یک قطعه پشت بند فولادی و یک محفظه تشکیل شده است. در اثر اعمال یک میدان مغناطیسی مارپیچ که از دو مولفه محوری و محیطی تشکیل شده، کله گی بر اساس «اثر ویدمن» در مواد مگنتواستریکتیو دچار تغییر شکل پیچشی می شود. کله گی از ماده پرمندور تشکیل شده است که یک ماده همسانگرد مغناطیسی می باشد. در این مقاله معادلات دیفرانسیل ارتعاشات پیچشی ترانسدیوسر نوشته شده و یک ترانسدیوسر پیچشی مگنتواستریکتیو با فرکانس رزونانس 12075 هرتز طراحی شده است. فرکانس رزونانس و شکل مود طبیعی ارتعاشی ترانسدیوسر از لحاظ تئوری، عددی و تجربی بررسی شده و با هم مقایسه می شود. اثر پارامترهای مهم بر عملکرد ترانسدیوسر مانند میدان محوری و محیطی و همچنین اثر پیش بار پیچشی مورد بررسی قرار گرفته است. و نقطه کار بهینه ترانسدیوسر مشخص شده است. با توجه به اینکه اکثر ترانسدیوسرهای مورد استفاده در صنعت از نوع طولی بوده و ترانسدیوسرهای پیچشی پیزوالکتریکی به علت برخی از نقاط ضعف و محدودیت ها کاربرد چندانی در صنعت پیدا نکرده اند، لذا این نوع جدید از ترانسدیوسرهای پیچشی می تواند نامزد مناسبی برای کاربردهای صنعتی باشد.

اخیرا در طراحی مبدلهای DC به AC به منظور دستیابی به کارآیی بهتر، بازدهی بالاتر و چگالی توان مطلوب از روشها و تکنیک های سوئیچینگ نرم، استفاده می شود. یکی از روشهای سوئیچینگ نرم در اینورترها، استفاده از لینک DC رزونانسی است. توپولوژیهای بالینک DC رزونانسی در اینورترها مشکلاتی از قبیل ماکزیممهای نامنظم جریان، ماکزیمم بزرگ ولتاژ، غیر قابل کنترل بودن پهنای پالس و ... دارند. نمونه دیگری از اینورترهای با سوئیچینگ نرم، اینورترهای با لینک شبه رزونانسی اند که قابلیت مدولاسیون PWM را دارند. اینورترهای با لینک DC شبه رزونانسی سری و موازی با استفاده از یک تعداد صحیح از پالسهای شبه سینوسی جریان و ولتاژ (به ترتیب) مدولاسیون PWM را تحقق می بخشند. در این مقاله یک اینورتر با لینک dc شبه رزونانسی سری جدید ارائه شده است. این توپولوژی ایورترهای منبع جریان را به داشتن مشخصاتی از قبیل محدود بودن ماکزیمم پالس رزونانسی، قابل کنترل بودن پهنای پالس، ... قادر می کند. این مدار قابلیت PWM را در دو تا سه ناحیه برای اینورتر فراهم می کند که این مسئله باعث بالا رفتن قابلیت کنترل زمان سوئیچینگ در محدوده وسیعتری می شود. وضعیت های مختلف عملکرد این لینک dc شبه رزونانسی جدید بررسی و سپس تلفات آن محاسبه شده است. در پایان نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار PSPICE برای اثبات صحت تحلیل ارائه شده است.

1در این مقاله یک مبدل  DC-DC موازی در هم تنیده افزاینده غیر ایزوله CCM جدید پیشنهاد شده است که از یک مدار کمکی برای ایجاد شرایط کلید زنی نرم بهره می برد. در مبدل پیشنهادی تنها از یک مدار کمکی برای ایجاد شرایط کلید زنی نرم برای هر دو مسیر موازی در هم تنیده که وظیفه انتقال توان از ورودی به خروجی مبدل را برعهده دارند استفاده شده است. از سوی دیگر، مدار کمکی مورد استفاده در این مبدل هیچ کلیدی را به ساختار پایه مبدل اضافه نکرده و تنها از طریق یک مسیر رزونانسی شرایط کلیدزنی نرم را برای تمام عناصر کلید شونده فراهم می کند. از آنجاییکه مدار کمکی طراحی شده در مسیر انتقال توان از ورودی به خروجی قرار ندارد، پس تاثیری در میزان تلفات هدایتی و اهمی مبدل اصلی نداشته و در راندمان مبدل تغییری ایجاد نمی کند. همچنین استفاده از یک مدار رزونانسی سبب افزایش بهره ولتاژ مبدل پیشنهادی در مقایسه با ساختار مبدل بوست پایه گردیده است. بدلیل استفاده از ساختار موازی در هم تنیده استرس جریان روی سوئیچها در مبدل پیشنهادی کم می باشد. این مبدل دارای ساختار مداری و عملکرد بسیار ساده در مقایسه با ساختارهای مشابه است. همچنین روش کنترلی مبدل نیز ساده بوده و از مدوالسیون پهنای پالس (PWM)  برای فرمان دادن به کلید استفاده شده است. با توجه به بکارگیری تکنیک سوئیچینگ نرم، فرکانس کلیدزنی مبدل افزایش یافته که این امر موجب کاهش اندازه و حجم کلی مبدل، بخصوص عناصر پسیو موجود در ساختار، تلفات سوئیچینگ و هدایتی و نیز افزایش بازده مبدل در مقایسه با ساختارهای مشابه گردیده است. همچنین مبدل پیشنهادی با ولتاژ ورودی 48 ولت، ولتاژ خروجی 155 ولت با فرکانس کلید زنی 100 کیلوهرتز در توان 900 وات در نرم افزار PSPICE شبیه سازی گردید. نتایج حاصل از شبیه سازی و تحلیل تئوری و محاسباتی عملکرد مبدل را تایید می کنند.

تاثیر جاذب غیرخطی بر ارتعاشات پایای تیر یکسرگیردار تحت تحریک رزونانسی و غیررزونانسی بررسی شده است. پس از استخراج معادلات، بی بعدسازی و اعمال روش گالرکین، از روش مقیاس های چندگانه برای حل استفاده شده و تاثیر پارامترهای جاذب بر رفتار ارتعاشی سیستم مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد در ناحیه پرش، تحت شرایط خاصی، امکان عملکرد بهتر جاذب غیرخطی در کاهش دامنه وجود دارد. همچنین، گرچه نتایج حاکی از عدم وجود تفاوت عمده در رفتار ارتعاشی سیستم در حضور جاذب های خطی نامیرا، میرا و غیرخطی در تحریکات غیررزونانسی است ولی جاذب غیرخطی باعث جابجایی فرکانس های تشدید و تغییر بازه ی فرکانسی غیررزونانسی می شود.